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　　W79E822B的特性如下：
　　· 全静态设计的8位CMOS加速51到20MHz的微控制器，当VDD = 4.5V至5.5V，12MHz的当VDD = 2.7V至5.5V
　　· 16K/8K/4K/2K字节的Flash EPROM的美联社，ICP和外部作家与可编程模式。
　　· 128分之256对字节片内RAM。
　　· 128分之256字节NVM数据客户数据存储和10K Flash EPROM的使用周期，作家。
　　· 指令集与MSC - 51兼容。
　　· 2个8位双向和一个2位双向端口。
　　· 2个16位定时器/计数器。
　　· 13个中断优先级有四个来源。
　　· 一个增强型全双工帧错误检测和自动地址串口承认。
　　· 4输出模式和TTL /施密特触发器可选端口。
　　· 可编程看门狗定时器。
　　· 四通道10位PWM（脉宽调制器）。
　　· 四通道复用10位A / D转换。
　　· 一个I2C通信接口（主/从）。
　　· 8个键盘中断输入。
　　· 两个模拟比较器。
　　· 可配置片上振荡器。
　　· LED驱动能力（20mA）的所有端口引脚。
　　· 低电压检测中断和复位。
　　· 开发工具：
　　- JTAG ICE的（在电路仿真）工具
　　- 电感（在电路编程）作家
　　· 封装：
　　- 无铅（RoHS）的指拨20：W79E825ADG
　　- 无铅（RoHS）的指拨20：W79E825ADG
　　- 无铅（RoHS）的硫酸钾20：W79E825ASG
　　- 无铅（RoHS）的指拨20：W79E824ADG
　　- 无铅（RoHS）的硫酸钾20：W79E824ASG
　　- 无铅（RoHS）的指拨20：W79E823BDG
　　- 无铅（RoHS）的硫酸钾20：W79E823BSG
　　- 无铅（RoHS）的指拨20：W79E822BDG
　　- 无铅（RoHS）的硫酸钾20：W79E822BSG
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